GRUPO DE HOREXS
August 12, 2020
La tecnología permite el amontonamiento de 12 microprocesadores de COPITA usando más de 60.000 agujeros de TSV, mientras que mantiene el mismo grueso que los paquetes actuales de 8 capas.
El grueso del paquete (720㎛) sigue siendo lo mismo que altos productos actuales del ancho de banda Memory-2 (HBM2) de 8 capas.
Esto ayudará a clientes a lanzar la siguiente generación, productos de gran capacidad con capacidad de un rendimiento más alto sin tener que cambiar sus diseños de la configuración de sistema.
Además, la tecnología de envasado 3D también ofrece un rato de transmisión más corto de datos entre los microprocesadores que la tecnología actualmente existente de la vinculación del alambre, dando por resultado una velocidad perceptiblemente más rápida y el consumo de una energía más baja.
“Pues el escalamiento de la ley de Moore alcanza su límite, se espera que el papel de la tecnología 3D-TSV llegue a ser aún más crítico,” dice a Hong-Joo Baek de Samsung.
Aumentando el número de capas apiladas a partir del ocho a 12, Samsung pronto podrá producir en masa 24GB HBM, que proporciona tres veces la capacidad de la alta memoria del ancho de banda 8GB en el mercado hoy.
