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En diciembre de 1947, un equipo de investigación integrado por Shockley, el bardar, y Bratton de los laboratorios de Bell, los E.E.U.U., desarrollaron un transistor del germanio del punto-contacto, que era el primer dispositivo del semiconductor del mundo. En la historia de más de 70 años de desarrollo del semiconductor, los chinos han desempeñado un papel importante confiando en su ingeniosidad.
1. Sazhitang: Tecnología del Cmos

Chih-Tang Sah (Chih-Tang Sah) nació en Pekín el 10 de noviembre de 1932; lo han dedicado a la investigación de los dispositivos de semiconductor y de la microelectrónica durante mucho tiempo, y ha hecho contribuciones del jalón al desarrollo de transistores, de circuitos integrados y de la investigación de la confiabilidad. Su padre Sabendong era el primer académico del Academia Sinica y del primer presidente de la universidad de Xiamen nacional.

Sachtang graduó de la escuela secundaria de Fuzhou Yinghua en 1949 y fue a los Estados Unidos a estudiar en la Universidad de Illinois en el Urbana-chamán. En 1953, él recibió una licenciatura en la ingeniería eléctrica y una licenciatura en dirigir la física; en 1954 y 1956, él recibió un masters y un grado del doctorado en la ingeniería eléctrica de Stanford University. Después de graduar de su Ph.D. en 1956, Sazhitang se unió al laboratorio del semiconductor de Shockley y siguió Shockley en la industria para conducir la investigación de estado sólido de la electrónica; trabajado en el semiconductor de Fairchild a partir de 1959 a 1964; se unió a la Universidad de Illinois en Urbana en 1962 - el chamán, ha sido profesor en el departamento de la física y el departamento de electrónica y de ordenador durante 26 años, y ha entrenado a 40 doctorados; ganó el IEEE Browder H. Thompson Paper Award en 1962; ganó el premio más alto del honor de los dispositivos electrónicos de IEEE (premio de JJ Ebers) en 1981; Elegido como miembro de la academia de ingeniería nacional en 1986; Profesor en la universidad de la Florida en 1988; Recibió el IEEE Jack Morton Award en 1989 para su contribución a la física y a la tecnología del transistor; En 1998, él ganó el premio más alto de la asociación de industria de semiconductor (SIA); elegido en 2000 como académico extranjero de la academia de ciencias china; en 2010, lo designaron como profesor en la escuela de la física y de la ingeniería mecánica y eléctrica de la universidad de Xiamen.

En 1959, él inscribió a Fairchild Company. Bajo dirección de Gordon Moore, Sazhitang realizó la investigación y desarrollo de circuitos integrados silicio-basados planares, solucionó una serie de problemas técnicos importantes, hizo contribuciones muy importantes, y servido como física de estado sólido que el encargado del grupo lleva a un grupo de investigación de 64 personas contratado a la investigación de proceso de fabricación de la primera generación silicio-basó los diodos, los transistores del MOS y los circuitos integrados.

En 1962, Frank M. Wanlass, que graduó con un Ph.D. de la universidad de Utah en Salt Lake City, semiconductor unido de Fairchild y fue colocado en el grupo de la física de estado sólido llevado por Sachtang. Debido a su trabajo del doctorado en RCA, Wanlass está muy interesado en transistores de efecto de campo del FET.

En la conferencia de estado sólido del circuito en 1963, Wanlass presentó un papel de concepto del Cmos coescrito con Sazhitang. Al mismo tiempo, él también utilizó un ciertos datos experimentales para dar una explicación general de la tecnología del Cmos. Las características principales del Cmos fueron determinadas básicamente. : La fuente de alimentación estática tiene densidad de energía baja; la fuente de alimentación de trabajo tiene densidad de poder más elevado, que puede formar un circuito de lógica de alta densidad del triodo del vacío del efecto de campo. Es decir el Cmos es una combinación orgánica de NMOS y de PMOS para formar un dispositivo de lógica. Su característica es que el dispositivo generará solamente una corriente grande cuando se cambia el estado de la lógica, y solamente una corriente muy pequeña pasará cuando la superficie está en un estado estable.

El Cmos propuesto por Sazhitang y Wanlass refiere al principio solamente a una tecnología, un proceso, bastante que un producto específico. La característica más grande de este proceso de fabricación es bajo consumo de energía, y una variedad de productos se pueden fabricar usando tecnología del Cmos. Además del bajo consumo de energía, el Cmos también tiene las ventajas de la velocidad rápida, de la capacidad antiinterferente fuerte, de la alta densidad de la integración, y de la reducción gradual en costes de empaquetado.

En 1966, RCA en los Estados Unidos desarrolló los circuitos integrados del Cmos y desarrolló el primer arsenal de puerta (50 puertas); en 1974, RCA introdujo el primer microprocesador 1802 del Cmos; en 1981, 64K Cmos SRAM salió. La gente utiliza tecnología del Cmos para fabricar cada vez más productos.

La oferta y el desarrollo de la tecnología del Cmos ha solucionado el problema del consumo de energía y pueden promover el desarrollo continuo de circuitos integrados de acuerdo con la ley de Moore.

2. Shi Min: Tecnología de NVSM

Simon Sze nació el 21 de marzo de 1936 en provincia de Nanjing, Jiangsu. Un experto en dispositivos de la microelectrónica y de semiconductor, lo eligieron como un miembro del Academia Sinica de Taiwán en 1994, un académico de la academia americana de ingeniería en 1995, y académico extranjero de la academia de ingeniería china en junio de 1998. En 1991, él ganó el premio más alto del honor de los dispositivos electrónicos de IEEE (J.J. Ebers Award); en 2017, él y Gordon que E Moore (el padre de la ley de Moore) fue concedida en común el título de IEEE celebraron al miembro; y tres veces fueron nombradas para el “Premio Nobel en la física”.

Llevado el 21 de marzo de 1936 en provincia de Nanjing, Jiangsu. Su padre Shi Jiafu es un experto en la explotación minera y metalurgia, y su madre Qi Zuquan graduó de la universidad de Tsinghua. En China en este tiempo, las guerras rabiaban. De Chongqing, Kunming, Tianjin, Pekín, Shenyang, y Shangai, la escuela primaria de Shi Min cambiaron escuelas múltiples. Sin embargo, sus estudios no fueron retrasados. En diciembre de 1948, su padre que transfirieron a Shi Jiafu a Jinguashih, Keelung, Shi Min vino tan a Taiwán con sus padres. Dejando la agitación de la guerra, Shi Min terminó con éxito sus estudios de la escuela secundaria en la escuela secundaria de Jianguo e incorporó el departamento de ingeniería eléctrica de la universidad de Taiwán nacional en 1953. Cuando él graduó, su tesis era “estudio de los osciladores de RC”.

Después de graduar de universidad en 1957, Shi Min alistó en el sexto entrenamiento del oficial de reserva. Él sirvió como segundo teniente en la fuerza aérea en 1958 y se retiró en febrero de 1959. En marzo de 1959, Shi Min fue a la universidad de Washington en Seattle, los E.E.U.U. a estudiar, bajo la tutela de profesor Wei Lingyun, él podía entrar en contacto con los semiconductores por primera vez. Difusión de su tesis de amo “del cinc y de la lata en antimoniuro del indio””. Shi Min graduó con un masters en 1960 y después inscribió a Stanford University para otros estudios, bajo la tutela de profesor John Moll. Su disertación doctoral es “relación de la Gama-energía de electrones calientes en el oro”, que es crecer una película fina del oro en un semiconductor para estudiar la transmisión de electrones calientes en la película.

En este tiempo, las compañías del semiconductor están acelerando su extensión. Bell Labs, la electrónica general, la electrónica de Westinghouse, Hewlett-Packard, IBM, RCA, el etc. todo ofrecieron a Shi Min altos sueldos (entre $12,000-14,400), y las posiciones del trabajo dadas eran: Departamento del semiconductor del poder del general electrónicas, departamento del semiconductor de los laboratorios de Bell, departamento de la exhibición de IBM.

Después de graduar de su doctorado en 1963, Min Shi siguió consejo de profesor John Moll y eligió entrar en Bell Labs. A partir de 1963 a 1972, Shi Min publicó más de 10 papeles cada año.

En 1967, cuando él trabajaban en Bell Labs, él y su colega coreano Dawon Kahng utilizó capa después de la capa de salsa durante una rotura del postre, que tocó la inspiración de los dos y pensó en el trabajo en el campo del semiconductor de óxido de metal. Una capa del metal fue añadida en el medio del MOSFET, y como consecuencia, el transistor permanente flotante de la memoria del efecto de campo del MOS de la puerta (memoria de semiconductor permanente, NVSM) fue inventado.

La puerta del transistor se compone de una capa del metal, de una capa del óxido, de una capa flotante de la puerta del metal, de una capa del óxido del deluente, y del semiconductor inferior de arriba a abajo, y la capa del metal en el centro es una capa aislador del óxido de arriba a abajo. Cuando se aplica un voltaje, los electrones se pueden chupar adentro y almacenar para cambiar la continuidad del circuito. Las capas superiores y más bajas de esta capa de metal son aisladores. Si el voltaje reverso se aplica no más, la carga será almacenada siempre en ella. Los datos no desaparecerán después de ciclo inicial.

Sin embargo, cuando la tecnología fue propuesta en 1967, no causó demasiadas ondulaciones en la industria, pero la buena tecnología no es sola después de todo. 30 años más tarde, conducido por el uso de memoria Flash, finalmente brilla. La tecnología de almacenamiento permanente de Shi Min la importancia también se ha mencionado continuamente, y se ha convertido en la base básica de NAND Flash de hoy.

3. Zhuo Yihe: Epitaxia de haz molecular (MBE)

Zhuo Yihe (Alfred Y. Cho), llevado en Pekín en 1937; fue a Hong Kong a estudiar en Pei Zheng Middle School en 1949; fue a los Estados Unidos a estudiar en la Universidad de Illinois en 1955, recibió a una licenciatura de ciencias en 1960, un masters en 1961, 1968 recibió un doctorado de la Universidad de Illinois en 1985; fue elegido a la National Academy of Sciences en 1985; fue concedido la medalla nacional de la ciencia, el honor más alto para un científico de los E.E.U.U. en 1993; recibió la medalla de honor de IEEE en 1994, en reconocimiento a sus contribuciones pioneras al desarrollo de la epitaxia de haz molecular; El 7 de junio de 1996, lo eligieron como académico extranjero de la academia de ciencias china; el 27 de julio de 2007, le concedieron otra vez la medalla de la ciencia nacional y la medalla nacional de la tecnología; el 11 de febrero de 2009, lo seleccionaron como la invención nacional de la patente de Estados Unidos y lista del salón de la fama casero de la oficina de la marca registrada (USPTO) de la”.

En 2013, en la conferencia anual de los premios de los 12mos ingenieros americanos asiáticos, Zhuo Yihe ganó “el premio al éxito científico y tecnológico excepcional”. Zhuo Yihe dijo en su discurso de aceptación, “la cosa importante para el éxito es: usted tiene que comprenderse, ama su trabajo, persigue, tiene un propósito, y puesto en un trabajo más duro.”

 

En 1961, Zhuo Yihe se unió a Ion Physics Corporation, una filial de Engineering de alto voltaje Corporation. Él estudió las partículas sólidas micrón-clasificadas cargadas en un campo eléctrico fuerte; en 1962, él se unió a Rayleigh, California. El laboratorio de la tecnología espacial de TRW en la playa de Dongduo se dedica a la investigación de los haces iónicos de gran intensidad de la densidad; en 1965, él volvió a la Universidad de Illinois para perseguir un grado del doctorado, y se unió a Bell Labs en 1968.

 

Zhuo Yihe descubrió que no había tecnología en la industria para producir las películas uniformes y extremadamente finas, así que él pensó alrededor usando haz molecular del principio de jet del ion para hacer esta tecnología. En 1970, Zhuo Yihe inventó con éxito la epitaxia de haz molecular (MBE). El principio es tirar encima de capa por la capa de átomos, para reducir el grueso de la película del semiconductor grandemente, y la precisión de la fabricación del semiconductor ha cambiado a partir de la era del micrón a la era del submicron.

 

Profesor Zhuo Yihe es internacionalmente - fundador y pionero reconocidos de la epitaxia de haz molecular, del crecimiento artificial del material de la microestructura y de la nueva investigación del dispositivo. Mucho trabajo de investigación pionero se ha realizado sistemáticamente en los semiconductores compuestos de III-V, los metales y los aisladores heteroepitaxial y los pozos artificiales del quántum de la estructura, los superretículos y los materiales dopados modulación de la microestructura.

 

Desde 2004, el grupo del MBE ha donado una suma de fondos para establecer el “premio de Zhuo Yihe”, que se presenta en la Conferencia Internacional del MBE cada otro año a principios de septiembre. Éste es indudablemente la afirmación y el respecto más altos por Zhuo Yihe de todos los colegas y de los colegas.

 

4. Zhang Ligang: Fenómeno resonante el hacer un túnel

 

Zhang Ligang (Leroy L. Chang) nació el 20 de enero de 1936 en el condado de Jiaozuo, provincia de Henan; llegó en Taiwán en 1948 y estudió en la escuela secundaria de Taichung segundo; admitido al departamento de ingeniería eléctrica, universidad de Taiwán nacional en 1953, majoring en la ingeniería eléctrica. En 1957, él obtuvo una licenciatura; en 1959, después de dos años de entrenamiento y de servicio como oficial de reserva de la fuerza aérea, él fue a la universidad de Carolina del Sur a estudiar en el departamento de ingeniería eléctrica y electrónica; en 1961, él obtuvo un masters e inscribió a Stanford University para estudiar la electrónica de estado sólido y la ingeniería eléctrica Ph.D. Después de graduar del Ph.D. en 1963, él se unió a IBM Watson Research Center. Él ha servido como el encargado del departamento de la epitaxia de haz molecular (1975-1984) y el encargado del departamento de la estructura del quántum (1985-1993). El campo de la investigación ha cambiado gradualmente de los dispositivos electrónicos a la medida material y a las propiedades físicas; a partir de 1968 a 1969, él trabajó en el departamento de ingeniería eléctrica de Massachusetts Institute of Technology como profesor adjunto; lo eligieron como miembro de la academia de ingeniería nacional en 1988; lo designaron como el decano de Hong Kong University de la ciencia y de la tecnología en 1993; lo eligieron como académico del profesor adjunto en 1994 de la US National Academy of Sciences, académico de Academia Sinica de Taiwán, académico de Hong Kong Academy de las ciencias de ingeniería, académico extranjero de la academia de ciencias china; sirvió como vicepresidente de Hong Kong University de la ciencia y de la tecnología a partir de 1998 a 2001, y murió en Los Angeles, los E.E.U.U. el 12 de agosto de 2008.

 

Zhang Ligang tiene mucho trabajo original y pionero en pozos del quántum del semiconductor, superretículos, y otros campos de la frontera formados por la intersección de la física del semiconductor, de la ciencia material y de los dispositivos. Los diodos que hacen un túnel resonantes son inseparables de la investigación de Zhang Ligang.

 

El diodo que hace un túnel resonante es el primer dispositivo nanoelectronic que se estudiará intensivo, y es el único dispositivo que se puede diseñar y fabricar usando tecnología del circuito integrado. Puede ser utilizado en los dispositivos de alta frecuencia de la microonda (osciladores, mezcladores), los circuitos digitales de alta velocidad (memoria), y los circuitos integrados fotoeléctricos (interruptores fotoeléctricos, reguladores ópticos).

 

En 1969, cuando Reona Esaki de IBM y Zhu Zhaoxiang (Raphael Tsu) buscaba un nuevo dispositivo con características negativas de la resistencia diferenciada (NDR), propusieron un nuevo concepto revolucionario: el superretículo del semiconductor (superretículo) y predijo en 1973 que el hacer un túnel resonante puede ocurrir en la estructura de la barrera del superretículo.

 

En 1974, Zhang Ligang utilizó la epitaxia de haz molecular (MBE) inventada por Zhuo Yihe para preparar heteroestructuras de GaAa/AlXGaXAs y observó las características débiles de NDR, que confirmaron el fenómeno teóricamente previsto el hacer un túnel de la resonancia, a pesar del NDR observó que en aquel momento las características son demasiado pequeñas para el uso práctico, pero abre un nuevo campo para la investigación científica del semiconductor. Desde entonces, este campo se ha desarrollado activamente; no sólo se ha convertido en un campo moderno de la investigación en la física, materiales y electrónica, pero sistemas también ampliados y mecánicos y biológicos, designados colectivamente la nanotecnología.

 

Con el progreso de la tecnología del MBE, en 1983, el MIT Lincoln Laboratory observó el fenómeno obvio el hacer un túnel de la resonancia, que estimuló el interés de la gente en la investigación de la IDT; La IDT integró los dispositivos se convirtió en apuroses de la investigación en 1988, Texas Instruments, Bell Labs, Fujitsu y Nipón telegrafía la compañía telefónica (NTT) ha preparado RTBT, RTDQD, RTFET, RTHFET, RTHET, RTHEMT, RTLD y otros dispositivos.

 

5. Hu Zhengming: Modelo de BSIM, transistor de efecto de campo de la aleta (FinFET)

 

Chenming Hu (Chenming Hu) nació en Pekín, China en julio de 1947; recibió una licenciatura en la ingeniería eléctrica de la universidad de Taiwán nacional en 1968; fue a estudiar en la Universidad de California, Berkeley en 1969, recibió un masters en 1970, y un doctorado en 1973; 1997 elegido como académico de la academia americana de ciencias de ingeniería en 2001; servido como el principal oficial de la tecnología de TSMC (TSMC) a partir de 2001 a 2004; elegido como académico extranjero de la academia de ciencias china en 2007; ganó el premio nacional de la tecnología y de la innovación de los E.E.U.U. en diciembre de 2015; ganó la medalla nacional de la ciencia de los E.E.U.U. el 19 de mayo de 2016.

 

Profesor Hu Zhengming es un pionero importante en la investigación de la física de la miniaturización de la microelectrónica y de la física de confiabilidad, y ha hecho contribuciones significativas al desarrollo de los dispositivos de semiconductor y de la miniaturización futura. Los logros científicos y tecnológicos principales son: Llevando la investigación de BSIM y de deducir el modelo matemático de la física compleja del transistor real del MOSFET. El modelo matemático fue seleccionado por el modelo Council del transistor de 38 compañías internacionales importantes como el primer diseño de chips en 1997. El único estándar internacional.

 

En los años 90, una variedad de nuevos dispositivos de la estructura tales como FinFET y FD-SOI, que han atraído la atención internacional, fueron inventados. Estas estructuras de dos dispositivos se centran en solucionar el problema de la salida del dispositivo. Es raro que estas estructuras de dos dispositivos finalmente son observadas por la industria. En mayo de 2011, Intel anunció el uso de la tecnología de FinFET, incluyendo TSMC, Samsung, y Apple sucesivamente usando FinFET. Hu Zhengming creó una nueva oportunidad después de que la ley de Moore fuera cantada.

 

Contribuciones excepcionales a la investigación de la física de confiabilidad de dispositivos microelectrónicos: primero propuso el mecanismo físico del fracaso caliente del electrón, desarrolló un método para rápidamente predecir vida del dispositivo usando corriente de ionización de impacto, y propuso el mecanismo físico del fracaso y del alto voltaje finos del óxido para predecir rápidamente método fino de la vida de la capa del óxido. La primera herramienta de la simulación numérica del ordenador para la confiabilidad de IC basada en la física de confiabilidad del dispositivo.

 

Profesor Hu Zhengming también participó en la fundación de la tecnología de BTA en 1993; combinado con Ultima Interconnect Technology en 2001 para formar BTA Ultima, que más adelante fue retitulado Celestry Design Technologies, Inc.; en 2003, fue adquirido por la cadencia para US$120 millón.

 

En la conferencia 2019 del desarrollador de Synopsys, profesor Hu Zhengming compartió con todo el mundo vía el vídeo. Él también dijo que él ha estado conduciendo la investigación sobre el proyecto “del transistor negativo de la capacitancia” recientemente, decir es una nueva tecnología muy prometedora que puede reducir el consumo de energía del semiconductor por 10 veces y puede también traer más ventajas.

 

Profesor Hu Zhengming dijo en ocasiones múltiples que la industria del circuito integrado puede crecer por otros 100 años, y el consumo de energía del microprocesador se puede reducir por 1.000 veces. Hay siempre un límite a la reducción de la línea anchura. Hasta cierto punto, no habrá efecto económico para conducir a gente para continuar esta trayectoria. Pero no tenemos que necesariamente ir a la oscuridad, podemos también cambiar nuestro pensamiento, y es también posible alcanzar lo que queremos alcanzar.

 

6. Zhang Zhongmou: Estrategia de la reducción del precio normal; fundición

 

Morris Chang (Morris Chang) nació el 10 de julio de 1931 en Yin County, ciudad de Ningbo, provincia de Zhejiang; movido a Nanjing en 1932; se movió a Guangzhou en 1937, y se movió a Hong Kong después del brote de la guerra Anti-japonesa; se movió a Chongqing en 1943 y entró en la escuela secundaria de Nankai; ganó la guerra de la resistencia en 1945, movida a Shangai y entró en el modelo Middle School de Shangai Nanyang; movido a Hong Kong otra vez en 1948; fue a Boston a estudiar en la Universidad de Harvard en 1949; transferido a Massachusetts Institute of Technology en 1950, recibió una licenciatura en 1952, y un masters en 1953; 1954 pasado dos exámenes doctorales de la calificación en 1955 y 1955; incorporó el departamento del semiconductor de Sylvania en 1955 e incorporó formalmente el campo del semiconductor; trabajado como encargado que dirige en la división del semiconductor de Texas Instruments a partir de 1958 a 1963; Stanford obtenida en 1964 Ph.D. en el departamento de ingeniería eléctrica en la universidad; a partir de 1965 a 1966, él sirvió como el director general de la división del transistor del germanio de Texas Instruments; a partir de 1966 a 1967, él sirvió como el director general de Texas Instruments Integrated Circuit Division; a partir de 1967 a 1972, él sirvió como el vicepresidente de Texas Instruments; Vicepresidente del grupo del instrumento y del director general del grupo del semiconductor; ido en 1983 debido a un desacuerdo con la junta directiva de Texas Instruments; servido como el presidente de instrumentos generales en 1984; invitado de nuevo a Taiwán a partir de 1985 a 1988 como el presidente del instituto de investigación de la tecnología industrial; en 1987 TSMC fundado.

 

“La estrategia de la reducción del precio normal” hizo a Zhang Zhongmou famosa en la industria de electrónica global. Cuando él estaba en Texas Instruments, él primero puso en marcha la guerra de la COPITA. Era 1972, cuando el producto de memoria principal en el mercado era solamente 1K, y el competidor más grande de Texas Instruments era Intel. Zhang Zhongmou manchó la oportunidad, avanzó dos niveles, comenzados de 4K, e hizo el hegemon de la industria, haciendo Intel invencible que quería arquear abajo. Qué hace a los competidores perturbados es que Zhang Zhongmou acordó con sus clientes cortar precios por el 10% cada cuarto. Éste es un truco despiadado que hizo que sus opositores pierden uno por uno. Él era muy orgulloso: “Asustar lejos a los competidores, éste es la única forma.” Pronto, la “estrategia de la reducción del precio normal” de Zhang Zhongmou se convirtió en un estándar en la industria de electrónica. En aquel momento, Intel, que insistió en no cortar precios, tuvo que cambiar esta estrategia se mira como arma mágica para la competencia. “La estrategia de la reducción del precio normal” vibró la industria y reescrito las reglas del juego del semiconductor.

La “fundición” ha cambiado radicalmente la industria del semiconductor. El cambio más grande Zhang Zhongmou traída a la industria del semiconductor era el establecimiento de una fundición.

 

La invención del circuito integrado permitió en 1958 que muchos componentes del semiconductor fueran puestos en una oblea a la vez. Como la línea encogimientos de la anchura, el número de transistores acomodados doblará sobre cada dos años, y el funcionamiento doblará cada 18 meses. Menos de 10 del en 1958 a 2000 en 1971, aumentó a 100.000 de los años 80, y a 10 millones de los años 90. Este fenómeno fue propuesto por Moore, el presidente honorario de Intel, y se llama la ley de Moore. Hoy, hay centenares de millones a los mil millones de componentes en los circuitos integrados.

 

En los primeros días, las compañías del semiconductor eran sobre todo los fabricantes componentes integrados (IDMs) que hicieron todo del diseño de IC, fabricación, empaquetado, probando a las ventas, tales como Intel, Texas Instruments, Motorola, Samsung, Philips, Toshiba, y micrófono local de los recursos de China, micrófono de Silan.

 

Sin embargo, debido a la ley de Moore, al diseño y a la producción de microprocesadores del semiconductor llegó a ser cada vez más complejo y costoso. Una sola compañía del semiconductor no podría permitir a menudo los altos costes del R&D y de producción. Por lo tanto, para el final de los años 80, la industria del semiconductor movida gradualmente hacia en el modo de división del trabajo profesional, algunas compañías se especializa en diseño y después lo entrega a otras compañías para la fundición y la prueba de empaquetado.

 

Uno de los jalones importantes es que en 1987, Zhang Zhongmou estableció la primera compañía profesional TSMC (TSMC) de la fundición del mundo en el parque tecnológico de Hsinchu, Taiwán, y convertido rápidamente en un líder en la industria del semiconductor de Taiwán.

 

Bajo dirección de Zhang Zhongmou, TSMC se ha convertido en la fundición más grande del mundo, y su tecnología de proceso ha caminado más cercano a o aún Intel Corporation superado, ocupando el 56% de la industria global de la fundición, lejos delante de otros competidores.

 

Desde una compañía hace solamente el diseño y el proceso de fabricación se entrega a otras compañías, es fácil preocuparse de la salida de secretos (por ejemplo, Qualcomm e HiSilicon, dos fabricantes competentes del diseño de IC, también emplean TSMC como fundición, así que significa que TSMC conoce los secretos de los dos), así que TSMC no fue favorecido por el mercado al principio.

 

Sin embargo, TSMC sí mismo no vende microprocesadores y es puramente una fundición. Puede también poner las líneas de montaje especiales para los diversos fabricantes de microprocesador, y mantener estrictamente aislamiento del cliente, ganar la confianza de clientes, y promover así el desarrollo de Fabless.