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Con el crecimiento rápido reciente y la extensión extensa de la inteligencia artificial (AI), el aprendizaje de máquina, el ordenador de alto rendimiento, los gráficos y los usos de la red, la demanda para la memoria está creciendo más rápidamente que nunca. Sin embargo, la COPITA de memoria principal tradicional es no más suficiente cumplir tales requisitos de sistema. Por otra parte, los usos de servidor en el centro de datos proporcionan los requisitos de una capacidad más alta para el almacenamiento. Tradicionalmente, la capacidad del subsistema de la memoria ha sido ampliada aumentando el número de canales del almacenamiento por ranura y usando los módulos en línea duales de la memoria de una COPITA más de alta densidad (DIMMs). Sin embargo, incluso con la COPITA más avanzada de 16Gb DDR4, los requisitos de la capacidad de memoria de sistema pueden convertirse en con certeza usos escasos (tales como bases de datos de la memoria). A través del silicio (TSV) en memoria se ha convertido una tecnología básica eficaz para la extensión de la capacidad y la extensión del ancho de banda. Ésta es una tecnología que los agujeros de sacadores con el grueso entero de la oblea de silicio. La meta es formar millares de vertical interconecta del frente a la parte posterior del microprocesador, y vice versa. En los primeros días, TSV fue mirado solamente como tecnología de envasado, pero en vez de la vinculación del alambre. Sin embargo, a lo largo de los años, se ha convertido en una herramienta imprescindible para ampliar funcionamiento y densidad de la COPITA. Hoy, la industria de la COPITA tiene dos casos del uso principal, y TSVs se ha producido con éxito para superar limitaciones de la extensión de la capacidad y del ancho de banda. Son la COPITA 3D-TSV y alta memoria del ancho de banda (HBM).

Además de los paquetes duales tradicionales del microprocesador (DDP) con el enlace del alambre mueren el apilar, las memorias de alta densidad tales como 128 y 256GB DIMMs (16Gb-based 2rank DIMMs con COPITA de 2High y de 4High X4) también están adoptando la COPITA 3D-TSV. En la COPITA 3D-TSV, 2 o 4 COPITAS mueren se apilan encima de uno a, y solamente la parte inferior muere externamente está conectada con el regulador de la memoria. Los dados restantes son interconectados por muchos TSVs que proporcionen el aislamiento de la carga de la entrada-salida (entrada-salida) internamente. Comparado con la estructura de DDP, esta estructura alcanza una velocidad más alta del perno desemparejando la carga de la entrada-salida, y reduce el consumo de energía eliminando la duplicación innecesaria del componente de circuito en microprocesadores apilados.

Por otra parte, HBM fue creado para componer el hueco del ancho de banda entre los altos requisitos del ancho de banda del SoC y la capacidad máxima de la fuente del ancho de banda de memoria principal. Por ejemplo, en usos del AI, los requisitos del ancho de banda de cada SoC (especialmente en usos de entrenamiento) pueden exceder varios TB/s, que no se pueden resolver por de memoria principal convencional. Un solo canal de memoria principal con 3200Mbps DDR4 DIMM puede proporcionar solamente 25.6GB/s del ancho de banda. Incluso la plataforma más avanzada de la CPU con 8 canales de memoria puede proporcionar solamente una velocidad de 204.8GB/s. por otra parte, 4 pilas HBM2 alrededor de un solo SoC puede el ancho de banda del provide> 1TB/s, que puede compensar su hueco del ancho de banda. Según diversos usos, HBM se puede utilizar como escondrijo solamente o como la primera capa de dos capas de memoria. HBM es una clase de memoria del en-paquete, que se integra con el SoC a través de una interposición del silicio en el mismo paquete. Esto permite que supere el número máximo de limitaciones del perno del paquete de la entrada-salida de los datos, que es una limitación de paquetes fuera de chip tradicionales. El HBM2 que eso se ha desplegado en productos reales consiste en 4 o 8 alto-pilas 8Gb mueren y 1024 pernos de los datos, y cada perno corre a una velocidad de 1.6~2.4Gbps. La densidad de cada pila de HBM es 4 o 8GB, y el ancho de banda es 204~307GB/s.

SK Hynix ha estado confiado a mantener una posición principal de la industria en HBM y productos de alta densidad de la COPITA 3D-TSV. Recientemente, el hynix de SK anunció el desarrollo acertado del dispositivo de HBM2E, que es una versión extendida de HBM2 con una densidad hasta de 16GB y un ancho de banda de 460GB/s por pila. Esto es hecha posible aumentando la COPITA muere densidad a 16Gb y a alcanzar de una velocidad de 3.6Gbps por el IOS de los datos del perno 1024 bajo voltaje de fuente de alimentación 1.2V. SK Hynix también está ampliando su formación de 128~256GB 3D-TSV DIMMs para cubrir las necesidades de sus clientes de un DIMMs más de alta densidad. La tecnología de TSV ahora ha alcanzado cierto nivel de madurez y puede construir los últimos productos con millares de TSVs, tales como HBM2E. Sin embargo, en el futuro, mientras que mantiene las altas producciones de la asamblea, reduciendo la echada de TSV/el diámetro/la relación de aspecto y muera grueso llegará a ser más desafiador, y será crítico para el funcionamiento del dispositivo y el escalamiento futuros continuos de la capacidad. Tales mejoras permitirán reducir la carga de TSV, reducir al pariente para morir porción del tamaño del TSV, y amplían el número de pilas sobre 12Highs, mientras que todavía mantienen la misma altura de pila física total. A través de la innovación continua de los productos y de las tecnologías de TSV, el hynix de SK continuará centrándose en la colocación en la vanguardia del grupo de la tecnología de almacenamiento leadership.HOREXS también para continuar mejorando la tecnología para cubrir la demanda de SK Hynix, para cualquier contacto AKEN de la recepción de la fabricación del substrato de la memoria, akenzhang@hrxpcb.cn.